Autorius (-iai): Vytautas Astašauskas
Vadovas (-ai): Aleksandras Iljinas
Aprašymas:
Feroelektrinės atmintys (FRAM) šiuo metu yra vienos iš perspektyviausių ateities atminties technologijų. Manoma, kad šio tipo atmintys ateityje pakeis ir naudojamas „flash“ tipo, kietųjų diskų ir operatyvines atmintis. FRAM privalumai – milžiniška greitavFeika (nuskaitymas/rašymas – apie 0.28 ns), teoriškai galimas milžiniškas atminties tankis (apie keli šimtai terabaitų/1 mm2) bei tai, kad šios atmintys nereikalauja energijos palaikymo, yra energijos naudojimo atžvilgiu labai taupios. Tokio tipo atmintis tiria stambiausi moksliniai centrai ir įmonės (NASA, Ramtron, Fujitsu, Texas Instruments).
Šiuo metu pagaminamų atminčių maža talpa (iki keliasdešimt megabaitų) ir didelė kaina dar negali konkuruoti su aukščiau išvardintomis atmintimis. Taip yra dėl sudėtingos ir brangios aktyviojo feroelektrinio sluoksnio gamybos technologijos ir daugelio neatsakytų fizikinių-technologinių klausimų.
Mūsų feroelektrinių sluoksnių sintezės būdas – sintezuoti aktyviuosius feroelektrinius sluoksnius (švino titanatą (PbTiO3), švino cirkonatas-titanatas (PZT), bismuto feratas (BiFeO3) ir bismuto titanatas (BiTiO3)) vakuuminio reaktyviojo fizikinio nusodinimo „sluoksnis po sluoksnio“ metodu aukštose temperatūrose. Tam naudojama originaliai sukonstruota įranga, leidžianti sintezuoti aukštos kokybės feroelektrines struktūras.
Kontaktai:
KTU Matematikos ir gamtos mokslų fakultetas
Fizikos katedra
el. paštas: vytautas.astasauskas@ktu.edu
